2014年11月1日，中科海高获得实现微波开关及其逻辑控制电路单片集成的制作方法（专利号200810102206.X）

     本发明涉及化合物半导体MMIC技术领域,公开一种采用GAAS增强/耗尽型PHEMT技术实现微波开关及其逻辑控制电路单片集成的制作方法,利用1.0ΜM GAAS E/D PHEMT工艺,制备出性能良好的DC～10GHZ SPDT MMIC,将全耗尽型微波开关与反相器逻辑电路集成于同一芯片内,基本实现逻辑电路与开关电路的集成,整个电路只需要1位控制信号,有效的减少了开关电路的控制端口数目,节省了芯片面积。为将来采用E/D HEMT技术实现更大规模、更复杂电路集成奠定了良好基础。发明具有成效明显,工艺设计简单易行,经济适用和可靠性强的优点,容易在微波、毫米波化合物半导体电路制作中采用和推广。